Электронный микроскоп: эпизод I. Виды микроскопов: описание, основные характеристики, назначение
ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП
прибор, который позволяет получать сильно увеличенное изображение объектов, используя для их освещения электроны. Электронный микроскоп (ЭМ) дает возможность видеть детали, слишком мелкие, чтобы их мог разрешить световой (оптический) микроскоп. ЭМ - один из важнейших приборов для фундаментальных научных исследований строения вещества, особенно в таких областях науки, как биология и физика твердого тела. Существуют три основных вида ЭМ. В 1930-х годах был изобретен обычный просвечивающий электронный микроскоп (ОПЭМ), в 1950-х годах - растровый (сканирующий) электронный микроскоп (РЭМ), а в 1980-х годах - растровый туннельный микроскоп (РТМ). Эти три вида микроскопов дополняют друг друга в исследованиях структур и материалов разных типов.
ОБЫЧНЫЙ ПРОСВЕЧИВАЮЩИЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП
ОПЭМ во многом подобен световому микроскопу см. МИКРОСКОП , но только для освещения образцов в нем используется не свет, а пучок электронов. В нем имеются электронный прожектор (см. ниже), ряд конденсорных линз, объективная линза и проекционная система, которая соответствует окуляру, но проецирует действительное изображение на люминесцентный экран или фотографическую пластинку. Источником электронов обычно служит нагреваемый катод из вольфрама или гексаборида лантана. Катод электрически изолирован от остальной части прибора, и электроны ускоряются сильным электрическим полем. Для создания такого поля катод поддерживают под потенциалом порядка -100 000 В относительно других электродов, фокусирующих электроны в узкий пучок. Эта часть прибора называется электронным прожектором (см. ЭЛЕКТРОННАЯ ПУШКА). Поскольку электроны сильно рассеиваются веществом, в колонне микроскопа, где движутся электроны, должен быть вакуум. Здесь поддерживается давление, не превышающее одной миллиардной атмосферного.
Электронная оптика.
Электронное изображение формируется электрическими и магнитными полями примерно так же, как световое - оптическими линзами.
Принцип действия магнитной линзы поясняется схемой (рис. 1). Магнитное поле, создаваемое витками катушки, по которой проходит ток, действует как собирающая линза, фокусное расстояние которой можно изменять, изменяя ток. Поскольку оптическая сила такой линзы, т.е. способность фокусировать электроны, зависит от напряженности магнитного поля вблизи оси, для ее увеличения желательно сконцентрировать магнитное поле в минимально возможном объеме. Практически это достигается тем, что катушку почти полностью закрывают магнитной "броней" из специального никель-кобальтового сплава, оставляя лишь узкий зазор в ее внутренней части. Создаваемое таким образом магнитное поле может быть в 10-100 тыс. раз более сильным, чем магнитное поле Земли на земной поверхности.
Схема ОПЭМ представлена на рис. 2. Ряд конденсорных линз (показана лишь последняя) фокусирует электронный пучок на образце. Обычно первая из них создает неувеличенное изображение источника электронов, а последняя контролирует размер освещаемого участка на образце. Диафрагмой последней конденсорной линзы определяется ширина пучка в плоскости объекта. Образец помещается в магнитном поле объективной линзы с большой оптической силой - самой важной линзы ОПЭМ, которой определяется предельное возможное разрешение прибора. Аберрации объективной линзы ограничиваются ее диафрагмой так же, как это происходит в фотоаппарате или световом микроскопе. Объективная линза дает увеличенное изображение объекта (обычно с увеличением порядка 100); дополнительное увеличение, вносимое промежуточными и проекционной линзами, лежит в пределах величин от несколько меньшей 10 до несколько большей 1000. Таким образом, увеличение, которое можно получить в современных ОПЭМ, составляет от менее 1000 до ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП1 000 000. (При увеличении в миллион раз грейпфрут вырастает до размеров Земли.) Исследуемый объект обычно помещают на очень мелкую сетку, вкладываемую в специальный держатель. Держатель можно механическим или электрическим способом плавно перемещать вверх-вниз и вправо-влево.
Изображение. Контраст в ОПЭМ обусловлен рассеянием электронов при прохождении электронного пучка через образец. Если образец достаточно тонок, то доля рассеянных электронов невелика. При прохождении электронов через образец одни из них рассеиваются из-за столкновений с ядрами атомов образца, другие - из-за столкновений с электронами атомов, а третьи проходят, не претерпевая рассеяния. Степень рассеяния в какой-либо области образца зависит от толщины образца в этой области, его плотности и средней атомной массы (числа протонов) в данной точке. Электроны, выходящие из диафрагмы с угловым отклонением, превышающим некоторый предел, уже не могут вернуться в пучок, несущий изображение, а поэтому сильно рассеивающие участки повышенной плотности, увеличенной толщины, места расположения тяжелых атомов выглядят на изображении как темные зоны на светлом фоне. Такое изображение называется светлопольным, поскольку на нем окружающее поле светлее объекта. Но можно сделать так, чтобы электрическая отклоняющая система пропускала в диафрагму объектива только те или иные из рассеянных электронов. Тогда образец выглядит светлым на темном поле. Слабо рассеивающий объект часто бывает удобнее рассматривать в режиме темного поля. Окончательное увеличенное электронное изображение преобразуется в видимое посредством люминесцентного экрана, который светится под действием электронной бомбардировки. Это изображение, обычно слабоконтрастное, как правило, рассматривают через бинокулярный световой микроскоп. При той же яркости такой микроскоп с увеличением 10 может создавать на сетчатке глаза изображение, в 10 раз более крупное, чем при наблюдении невооруженным глазом. Иногда для повышения яркости слабого изображения применяется люминофорный экран с электронно-оптическим преобразователем. В этом случае окончательное изображение может быть выведено на обычный телевизионный экран, что позволяет записать его на видеоленту. Видеозапись применяется для регистрации изображений, меняющихся во времени, например, в связи с протеканием химической реакции. Чаще всего окончательное изображение регистрируется на фотопленке или фотопластинке. Фотопластинка обычно позволяет получить более четкое изображение, чем наблюдаемое простым глазом или записанное на видеоленте, так как фотоматериалы, вообще говоря, более эффективно регистрируют электроны. Кроме того, на единице площади фотопленки может быть зарегистрировано в 100 раз больше сигналов, чем на единице площади видеоленты. Благодаря этому изображение, зарегистрированное на фотопленке, можно дополнительно увеличить примерно в 10 раз без потери четкости.
Разрешение. Электронные пучки имеют свойства, аналогичные свойствам световых пучков. В частности, каждый электрон характеризуется определенной длиной волны. Разрешающая способность ЭМ определяется эффективной длиной волны электронов. Длина волны зависит от скорости электронов, а следовательно, от ускоряющего напряжения; чем больше ускоряющее напряжение, тем больше скорость электронов и тем меньше длина волны, а значит, выше разрешение. Столь значительное преимущество ЭМ в разрешающей способности объясняется тем, что длина волны электронов намного меньше длины волны света. Но поскольку электронные линзы не так хорошо фокусируют, как оптические (числовая апертура хорошей электронной линзы составляет всего лишь 0,09, тогда как для хорошего оптического объектива эта величина достигает 0,95), разрешение ЭМ равно 50-100 длинам волн электронов. Даже со столь слабыми линзами в электронном микроскопе можно получить предел разрешения ок. 0,17 нм, что позволяет различать отдельные атомы в кристаллах. Для достижения разрешения такого порядка необходима очень тщательная настройка прибора; в частности, требуются высокостабильные источники питания, а сам прибор (который может быть высотой ок. 2,5 м и иметь массу в несколько тонн) и его дополнительное оборудование требуют монтажа, исключающего вибрацию.
РАСТРОВЫЙ ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП
РЭМ, ставший важнейшим прибором для научных исследований, служит хорошим дополнением ОПЭМ. В РЭМ применяются электронные линзы для фокусировки электронного пучка в пятно очень малых размеров. Можно отрегулировать РЭМ так, чтобы диаметр пятна в нем не превышал 0,2 нм, но, как правило, он составляет единицы или десятки нанометров. Это пятно непрерывно обегает некоторый участок образца аналогично лучу, обегающему экран телевизионной трубки. Электрический сигнал, возникающий при бомбардировке объекта электронами пучка, используется для формирования изображения на экране телевизионного кинескопа или электронно-лучевой трубки (ЭЛТ), развертка которой синхронизирована с системой отклонения электронного пучка (рис. 3). Увеличение в данном случае понимается как отношение размера изображения на экране к размеру области, обегаемой пучком на образце. Это увеличение составляет от 10 до 10 млн.
Взаимодействие электронов сфокусированного пучка с атомами образца может приводить не только к их рассеянию, которое используется для получения изображения в ОПЭМ, но и к возбуждению рентгеновского излучения, испусканию видимого света и эмиссии вторичных электронов. Кроме того, поскольку в РЭМ перед образцом имеются только фокусирующие линзы, он позволяет исследовать "толстые" образцы.
Отражательный РЭМ. Отражательный РЭМ предназначен для исследования массивных образцов. Поскольку контраст, возникающий при регистрации отраженных, т.е. обратно-рассеянных, и вторичных электронов, связан в основном с углом падения электронов на образец, на изображении выявляется поверхностная структура. (Интенсивность обратного рассеяния и глубина, на которой оно происходит, зависят от энергии электронов падающего пучка. Эмиссия вторичных электронов определяется, в основном составом поверхности и электропроводностью образца.) Оба эти сигнала несут информацию об общих характеристиках образца. Благодаря малой сходимости электронного пучка можно проводить наблюдения с гораздо большей глубиной резкости, чем при работе со световым микроскопом, и получать прекрасные объемные микрофотографии поверхностей с весьма развитым рельефом. Регистрируя рентгеновское излучение, испускаемое образцом, можно в дополнение к данным о рельефе получать информацию о химическом составе образца в поверхностном слое глубиной ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП0,001 мм. О составе материала на поверхности можно судить и по измеренной энергии, с которой эмиттируются те или иные электроны. Все сложности работы с РЭМ обусловлены, в основном, его системами регистрации и электронной визуализации. В приборе с полным комплексом детекторов, наряду со всеми функциями РЭМ, предусматривается рабочий режим электронно-зондового микроанализатора.
Растровый просвечивающий электронный микроскоп. Растровый просвечивающий электронный микроскоп (РПЭМ) - это особый вид РЭМ. Он рассчитан на тонкие образцы, такие же, как и исследуемые в ОПЭМ. Схема РПЭМ отличается от схемы на рис. 3 только тем, что в ней нет детекторов, расположенных выше образца. Поскольку изображение формируется бегущим пучком (а не пучком, освещающим весь исследуемый участок образца), требуется высокоинтенсивный источник электронов, чтобы изображение можно было зарегистрировать за приемлемое время. В РПЭМ высокого разрешения используются автоэлектронные эмиттеры высокой яркости. В таком источнике электронов создается очень сильное электрическое поле (ок. В/см) вблизи поверхности заостренной травлением вольфрамовой проволочки очень малого диаметра. Это поле буквально вытягивает миллиарды электронов из проволочки без всякого нагрева. Яркость такого источника почти в 10 000 раз больше, чем источника с нагреваемой вольфрамовой проволокой (см. выше), а испускаемые им электроны могут быть сфокусированы в пучок диаметром менее 1 нм. Были даже получены пучки, диаметр которых близок к 0,2 нм. Автоэлектронные источники могут работать только в условиях сверхвысокого вакуума (при давлениях ниже Па), в которых полностью отсутствуют такие загрязнения, как пары углеводородов и воды, и становится возможным получение изображений с высоким разрешением. Благодаря таким сверхчистым условиям можно исследовать процессы и явления, недоступные ЭМ с обычными вакуумными системами. Исследования в РПЭМ проводятся на сверхтонких образцах. Электроны проходят сквозь такие образцы почти без рассеяния. Электроны, рассеянные на углы более нескольких градусов без замедления, регистрируются, попадая на кольцевой электрод, расположенный под образцом (рис. 3). Сигнал, снимаемый с этого электрода, сильно зависит от атомного номера атомов в той области, через которую проходят электроны, - более тяжелые атомы рассеивают больше электронов в направлении детектора, чем легкие. Если электронный пучок сфокусирован в точку диаметром менее 0,5 нм, то можно получить изображение отдельных атомов. Реально удается различать на изображении, полученном в РПЭМ, отдельные атомы с атомной массой железа (т.е. 26 и более). Электроны, не претерпевшие рассеяния в образце, а также электроны, замедлившиеся в результате взаимодействия с образцом, проходят в отверстие кольцевого детектора. Энергетический анализатор, расположенный под этим детектором, позволяет отделить первые от вторых. Измеряя энергию, потерянную электронами при рассеянии, можно получить важную информацию об образце. Потери энергии, связанные с возбуждением рентгеновского излучения или выбиванием вторичных электронов из образца, позволяют судить о химических свойствах вещества в области, через которую проходит электронный пучок.
РАСТРОВЫЙ ТУННЕЛЬНЫЙ МИКРОСКОП
В ЭМ, рассмотренных выше, для фокусировки электронов применяются магнитные линзы. Данный раздел посвящен ЭМ без линз. Но, прежде чем переходить к растровому туннельному микроскопу (РТМ), будет полезно кратко остановиться на двух старых видах безлинзового микроскопа, в которых формируется проецированное теневое изображение.
Автоэлектронный и автоионный проекторы. Автоэлектронный источник, применяемый в РПЭМ, с начала 1950-х годов применялся в теневых проекторах. В автоэлектронном проекторе электроны, испускаемые за счет автоэлектронной эмиссии острием очень малого диаметра, ускоряются в направлении люминесцентного экрана, расположенного на расстоянии нескольких сантиметров от острия. В результате на экране возникает проецированное изображение поверхности острия и находящихся на этой поверхности частиц с увеличением, равным отношению радиуса экрана к радиусу острия (порядка). Более высокое разрешение достигается в автоионном проекторе, в котором проецирование изображения осуществляется ионами гелия (или некоторых других элементов), эффективная длина волны которых меньше, чем у электронов. Это позволяет получать изображения, показывающие истинное расположение атомов в кристаллической решетке материала острия. Поэтому автоионные проекторы используются, в частности, для исследования кристаллической структуры и ее дефектов в материалах, из которых могут быть изготовлены такие острия.
Растровый туннельный микроскоп (РТМ). В этом микроскопе тоже используется металлическое острие малого диаметра, являющееся источником электронов. В зазоре между острием и поверхностью образца создается электрическое поле. Число электронов, вытягиваемых полем из острия в единицу времени (ток туннелирования), зависит от расстояния между острием и поверхностью образца (на практике это расстояние меньше 1 нм). При перемещении острия вдоль поверхности ток модулируется. Это позволяет получить изображение, связанное с рельефом поверхности образца. Если острие заканчивается одиночным атомом, то можно сформировать изображение поверхности, проходя атом за атомом. РТМ может работать только при условии, что расстояние от острия до поверхности постоянно, а острие можно перемещать с точностью до атомных размеров. Вибрации подавляются благодаря жесткой конструкции и малым размерам микроскопа (не более кулака), а также применению многослойных резиновых амортизаторов. Высокую точность обеспечивают пьезоэлектрические материалы, которые удлиняются и сокращаются под действием внешнего электрического поля. Подавая напряжение порядка 10-5 В, можно изменять размеры таких материалов на 0,1 нм и менее. Это дает возможность, закрепив острие на элементе из пьезоэлектрического материала, перемещать его в трех взаимно перпендикулярных направлениях с точностью порядка атомных размеров.
ТЕХНИКА ЭЛЕКТРОННОЙ МИКРОСКОПИИ
Вряд ли остался какой-либо сектор исследований в области биологии и материаловедения, где бы не применялась просвечивающая электронная микроскопия (ПЭМ); это обеспечено успехами техники приготовления образцов. Все применяемые в электронной микроскопии методики нацелены на получение предельно тонкого образца и обеспечение максимального контраста между ним и подложкой, которая необходима ему в качестве опоры. Основная методика рассчитана на образцы толщиной 2-200 нм, поддерживаемые тонкими пластмассовыми или углеродными пленками, которые кладутся на сетку с размером ячейки ок. 0,05 мм. (Подходящий образец, каким бы способом он ни был получен, обрабатывается так, чтобы увеличить интенсивность рассеяния электронов на исследуемом объекте.) Если контраст достаточно велик, то глаз наблюдателя может без напряжения различить детали, находящиеся на расстоянии 0,1-0,2 мм друг от друга. Следовательно, для того, чтобы на изображении, создаваемом электронным микроскопом, были различимы детали, разделенные на образце расстоянием в 1 нм, необходимо полное увеличение порядка 100-200 тыс. Лучшие из микроскопов могут создать на фотопластинке изображение образца с таким увеличением, но при этом изображается слишком малый участок. Обычно делают микроснимок с меньшим увеличением, а затем увеличивают его фотографически. Фотопластинка разрешает на длине 10 см ок. 10 000 линий. Если каждая линия соответствует на образце некой структуре протяженностью 0,5 нм, то для регистрации такой структуры необходимо увеличение не менее 20 000, тогда как при помощи РЭМ и РПЭМ, в которых изображение регистрируется электронной системой и развертывается на телевизионном экране, может быть разрешено только ок. 1000 линий. Таким образом, при использовании телевизионного монитора минимально необходимое увеличение примерно в 10 раз больше, чем при фоторегистрации.
Биологические препараты. Электронная микроскопия широко применяется в биологических и медицинских исследованиях. Разработаны методики фиксации, заливки и получения тонких срезов тканей для исследования в ОПЭМ и РПЭМ и методики фиксации для исследования объемных образцов в РЭМ. Эти методики дают возможность исследовать организацию клеток на макромолекулярном уровне. Электронная микроскопия выявила компоненты клетки и детали строения мембран, митохондрий, эндоплазматической сети, рибосом и множества других органелл, входящих в состав клетки. Образец сначала фиксируют глутаральдегидом или другими фиксирующими веществами, а затем обезвоживают и заливают пластмассой. Методы криофиксации (фиксации при очень низких - криогенных - температурах) позволяют сохранить структуру и состав без использования химических фиксирующих веществ. Кроме того, криогенные методы позволяют получать изображения замороженных биологических образцов без их обезвоживания. При помощи ультрамикротомов с лезвиями из полированного алмаза или сколотого стекла можно делать срезы тканей толщиной 30-40 нм. Смонтированные гистологические препараты могут быть окрашены соединениями тяжелых металлов (свинца, осмия, золота, вольфрама, урана) для усиления контраста отдельных компонентов или структур.
Биологические исследования были распространены на микроорганизмы, особенно на вирусы, которые не разрешаются световыми микроскопами. ПЭМ позволила выявить, например, структуры бактериофагов и расположение субъединиц в белковых оболочках вирусов. Кроме того, методами позитивного и негативного окрашивания удалось выявить структуру с субъединицами в ряде других важных биологических микроструктур. Методы усиления контраста нуклеиновых кислот позволили наблюдать одно- и двунитные ДНК. Эти длинные линейные молекулы распластывают в слой основного белка и накладывают на тонкую пленку. Затем на образец вакуумным напылением наносят очень тонкий слой тяжелого металла. Этот слой тяжелого металла "оттеняет" образец, благодаря чему последний при наблюдении в ОПЭМ или РПЭМ выглядит как бы освещенным с той стороны, с которой напылялся металл. Если же вращать образец во время напыления, то металл накапливается вокруг частиц со всех сторон равномерно (как снежный ком).
Небиологические материалы. ПЭМ применяется в исследованиях материалов для изучения тонких кристаллов и границ между разными материалами. Чтобы получить изображение границы раздела с большим разрешением, образец заливают пластмассой, делают срез образца, перпендикулярный границе, а затем утоньшают его так, чтобы граница была видна на заостренной кромке. Кристаллическая решетка сильно рассеивает электроны в определенных направлениях, давая дифракционную картину. Изображение кристаллического образца в значительной мере определяется этой картиной; контраст сильно зависит от ориентации, толщины и совершенства кристаллической решетки. Изменения контраста на изображении позволяют изучать кристаллическую решетку и ее несовершенства в масштабе атомных размеров. Получаемая при этом информация дополняет ту, которую дает рентгенографический анализ объемных образцов, так как ЭМ дает возможность непосредственно видеть во всех деталях дислокации, дефекты упаковки и границы зерен. Кроме того, в ЭМ можно снимать электронограммы и наблюдать картины дифракции от выделенных участков образца. Если диафрагму объектива настроить так, чтобы через нее проходили только один дифрагированный и нерассеянный центральный пучки, то можно получать изображение определенной системы кристаллических плоскостей, которая дает этот дифрагированный пучок. Современные приборы позволяют разрешать периоды решетки величиной 0,1 нм. Исследовать кристаллы можно также методом темнопольного изображения, при котором перекрывают центральный пучок, так что изображение формируется одним или несколькими дифрагированными пучками. Все эти методы дали важную информацию о структуре очень многих материалов и существенно прояснили физику кристаллов и их свойства. Например, анализ ПЭМ-изображений кристаллической решетки тонких малоразмерных квазикристаллов в сочетании с анализом их электронограмм позволил в 1985 открыть материалы с симметрией пятого порядка.
Высоковольтная микроскопия. В настоящее время промышленность выпускает высоковольтные варианты ОПЭМ и РПЭМ с ускоряющим напряжением от 300 до 400 кВ. Такие микроскопы имеют более высокую проникающую способность, чем у низковольтных приборов, причем почти не уступают в этом отношении микроскопам с напряжением 1 млн. вольт, которые строились в прошлом. Современные высоковольтные микроскопы достаточно компактны и могут быть установлены в обычном лабораторном помещении. Их повышенная проникающая способность оказывается очень ценным свойством при исследовании дефектов в более толстых кристаллах, особенно таких, из которых невозможно сделать тонкие образцы. В биологии их высокая проникающая способность дает возможность исследовать целые клетки, не разрезая их. Кроме того, с помощью таких микроскопов можно получать объемные изображения толстых объектов.
Низковольтная микроскопия. Выпускаются также РЭМ с ускоряющим напряжением, составляющим всего несколько сот вольт. Даже при столь низких напряжениях длина волны электронов меньше 0,1 нм, так что пространственное разрешение и здесь ограничивается аберрациями магнитных линз. Однако, поскольку электроны с такой низкой энергией проникают неглубоко под поверхность образца, почти все электроны, участвующие в формировании изображения, приходят из области, расположенной очень близко к поверхности, благодаря чему повышается разрешение поверхностного рельефа. С помощью низковольтных РЭМ были получены изображения на твердых поверхностях объектов размером менее 1 нм.
Радиационное повреждение. Поскольку электроны представляют собой ионизирующее излучение, образец в ЭМ постоянно подвергается его воздействию. (В результате этого воздействия возникают вторичные электроны, используемые в РЭМ.) Следовательно, образцы всегда подвергаются радиационному повреждению. Типичная доза излучения, поглощаемая тонким образцом за время регистрации микрофотографии в ОПЭМ, примерно соответствует энергии, которой было бы достаточно для полного испарения холодной воды из пруда глубиной 4 м с площадью поверхности 1 га. Чтобы уменьшить радиационное повреждение образца, необходимо использовать различные методы его подготовки: окрашивание, заливку, замораживание. Кроме того, можно регистрировать изображение при дозах электронов, в 100-1000 раз меньших, нежели по стандартной методике, а затем улучшать его методами компьютерной обработки изображений.
ИСТОРИЧЕСКАЯ СПРАВКА
История создания электронного микроскопа - замечательный пример того, как самостоятельно развивающиеся области науки и техники могут, обмениваясь полученной информацией и объединяя усилия, создавать новый мощный инструмент научных исследований. Вершиной классической физики была теория электромагнитного поля, которая объяснила распространение света, возникновение электрических и магнитных полей, движение заряженных частиц в этих полях как распространение электромагнитных волн. Волновая оптика сделала понятными явление дифракции, механизм формирования изображения и игру факторов, определяющих разрешение, в световом микроскопе. Успехам в области теоретической и экспериментальной физики мы обязаны открытием электрона с его специфическими свойствами. Эти отдельные и, казалось бы, независимые пути развития привели к созданию основ электронной оптики, одним из важнейших приложений которой являлось изобретение ЭМ в 1930-х годах. Прямым намеком на такую возможность можно считать гипотезу о волновой природы электрона, выдвинутую в 1924 Луи де Бройлем и экспериментально подтвержденную в 1927 К.Дэвиссоном и Л.Джермером в США и Дж.Томсоном в Англии. Тем самым была подсказана аналогия, позволившая построить ЭМ по законам волновой оптики. Х.Буш обнаружил, что с помощью электрических и магнитных полей можно формировать электронные изображения. В первые два десятилетия 20 в. были созданы и необходимые технические предпосылки. Промышленные лаборатории, работавшие над электронно-лучевым осциллографом, дали вакуумную технику, стабильные источники высокого напряжения и тока, хорошие электронные эмиттеры. В 1931 Р. Руденберг подал патентную заявку на просвечивающий электронный микроскоп, а в 1932 М.Кнолль и Э.Руска построили первый такой микроскоп, применив магнитные линзы для фокусировки электронов. Этот прибор был предшественником современного ОПЭМ. (Руска был вознагражден за свои труды тем, что стал лауреатом Нобелевской премии по физике за 1986.) В 1938 Руска и Б.фон Боррис построили прототип промышленного ОПЭМ для фирмы "Сименс-Хальске" в Германии; этот прибор в конце концов позволил достичь разрешения 100 нм. Несколькими годами позднее А.Пребус и Дж.Хиллер построили первый ОПЭМ высокого разрешения в Торонтском университете (Канада). Широкие возможности ОПЭМ почти сразу же стали очевидны. Его промышленное производство было начато одновременно фирмой "Сименс-Хальске" в Германии и корпорацией RCA в США. В конце 1940-х годов такие приборы стали выпускать и другие компании. РЭМ в его нынешней форме был изобретен в 1952 Чарльзом Отли. Правда, предварительные варианты такого устройства были построены Кноллем в Германии в 1930-х годах и Зворыкиным с сотрудниками в корпорации RCA в 1940-х годах, но лишь прибор Отли смог послужить основой для ряда технических усовершенствований, завершившихся внедрением в производство промышленного варианта РЭМ в середине 1960-х годов. Круг потребителей такого довольно простого в обращении прибора с объемным изображением и электронным выходным сигналом расширился с быстротой взрыва. В настоящее время насчитывается добрый десяток промышленных изготовителей РЭМ"ов на трех континентах и десятки тысяч таких приборов, используемых в лабораториях всего мира. В 1960-х годах разрабатывались сверхвысоковольтные микроскопы для исследования более толстых образцов. Лидером этого направления разработок был Г.Дюпуи во Франции, где в 1970 был введен в действие прибор с ускоряющим напряжением, равным 3,5 млн. вольт. РТМ был изобретен Г.Биннигом и Г.Рорером в 1979 в Цюрихе. Этот весьма простой по устройству прибор обеспечивает атомное разрешение поверхностей. За свою работу по созданию РТМ Бинниг и Рорер (одновременно с Руской) получили Нобелевскую премию по физике.
См. также
История создания электронного микроскопа
В 1931 году Р. Руденберг получил патент на просвечивающий электронный микроскоп , а в 1932 году М. Кнолль и Э. Руска построили первый прототип современного прибора. Эта работа Э. Руски в 1986 году была отмечена Нобелевской премией по физике, которую присудили ему и изобретателям сканирующего зондового микроскопа Герду Карлу Биннигу и Генриху Рореру . Использование просвечивающего электронного микроскопа для научных исследований было начато в конце 1930-х годов и тогда же появился первый коммерческий прибор, построенный фирмой Siemens .
В конце 1930-х - начале 1940-х годов появились первые растровые электронные микроскопы, формирующие изображение объекта при последовательном перемещении электронного зонда малого сечения по объекту. Массовое применение этих приборов в научных исследованиях началось в 1960-х годах, когда они достигли значительного технического совершенства.
Значительным скачком (в 70-х гг) в развитии было использование вместо термоэмиссионных катодов - катодов Шоттки и катодов с холодной автоэмиссией, однако их применение требует значительно большего вакуума.
В конце 90х - начале 2000х компьютеризация и использование CCD-детекторов значительным образом увеличили стабильность и (относительно) простоту использования.
В последнее десятилетие в современных передовых просвечивающих электронных микроскопах используются корректоры сферических и хроматических аберраций (что вносят основное искажение в получаемое изображение), однако их применение порой значительно усложняет использование прибора.
Виды электронных микроскопов
Просвечивающая электронная микроскопия
Шаблон:Заготовка роздела
Первоначальная вид электронного микроскопа. В просвечивающем электронном микроскопе используется высокоэнергетический электронный пучок для формирования изображения. Электронный пучок создается посредством катода (вольфрамового, LaB 6 , Шоттки или холодной полевой эмиссии). Полученный электронный пучок ускоряется обычно до +200 кэВ (используются различные напряжения от 20кэВ до 1мэВ), фокусируется системой электростатических линз, проходит через образец так, что часть его проходит рассеиваясь на образце, а часть - нет. Таким образом, прошедший через образец электронный пучок несет информацию о структуре образца. Далее пучок проходит через систему увеличивающих линз и формирует изображение на люминесцентном экране (как правило, из сульфида цинка), фото-пластинке или CCD-камере.
Разрешение ПЭМ лимитируется в основном сферической аберрацией . Некоторые современные ПЭМ имеют корректоры сферической аберрации.
Основными недостатками ПЭМ являются необходимость в очень тонком образце (порядка 100нм) и неустойчивость(разложение) образцов под пучком.ааааа
Просвечивающая растровая(сканирующая) электронная микроскопия (ПРЭМ)
Основная статья: Просвечивающий растровый электронный микроскоп
Один из типов просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), однако есть приборы работающие исключительно в режиме ПРЭМ. Пучок электронов пропускается через относительно тонкий образец, но, в отличие от обычной просвечивающей электронной микроскопии, электронный пучок фокусируется в точку, которая перемещается по образцу по растру.
Растровая (сканирующая) электронная микроскопия
В основе лежит телевизионный принцип развертки тонкого пучка электронов по поверхности образца.
Низковольтная электронная микроскопия
Сферы применения электронных микроскопов
|
Полупроводники и хранение данных
Биология и биологические науки
|
Научные исследования
Промышленность
|
Основные мировые производители электронных микроскопов
См. также
Примечания
Ссылки
- 15 лучших изображений 2011 года, сделанных электронными микроскопами Изображения на рекомендованном сайте являются произвольно раскрашенными, и имеют скорее художественную, чем научную ценность (электронные микроскопы выдают черно-белые а не цветные изображения).
Wikimedia Foundation . 2010 .
Смотреть что такое "Электронный микроскоп" в других словарях:
Прибор для наблюдения и фотографирования многократно (до 106 раз) увеличенного изображения объекта, в к ром вместо световых лучей используются пучки электронов, ускоренных до больших энергий (30 1000 кэВ и более) в условиях глубокого вакуума. Физ … Физическая энциклопедия
Прибор для наблюдения и фотографирования многократно (до 106 раз) увеличенного изображения объектов, в к ром вместо световых лучей используются пучки эл нов, ускоренных до больших энергий (30 100 кэВ и более) в условиях глубокого вакуума. Физ.… … Физическая энциклопедия
Электронный микроскоп - (схема). ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП, вакуумный электронно оптический прибор для наблюдения и фотографирования многократно (до 106 раз) увеличенного изображения объектов, полученного с помощью пучков электронов, ускоренных до больших энергий.… … Иллюстрированный энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННЫЙ МИКРОСКОП, МИКРОСКОП, который «освещает» изучаемый объект потоком электронов. Вместо обычных линз в нем имеются магниты, фокусирующие электронный пучок. Это устройство позволяет разглядеть предметы очень малых размеров, потому что… … Научно-технический энциклопедический словарь
ЭЛЕКТРОННЫЙ
МИКРОСКОП
-прибор для наблюдения и фотографирования многократно (до
10 6 раз) увеличенного изображения объекта, в к-ром вместо световых
лучей используются , ускоренных до больших энергий (30-1000
кэВ и более) в условиях глубокого . Физ. основы корпускулярно-лучевых
оптич. приборов были заложены в 1827, 1834-35 (почти за сто лет до появления
Э. м.) У. P. Гамильтоном (W. R. Gamil-ton), установившим существование аналогии
между прохождением световых лучей в оптически неоднородных средах и траекториями
частиц в силовых полях. Целесообразность создания Э. м. стала очевидной после
выдвижения в 1924 гипотезы о волнах де Бройля, а техн. предпосылки были созданы
X. Бушем (H. Busch), к-рый в 1926 исследовал фокусирующие свойства осесимметричных
полей и разработал магн. электронную линзу. В 1928 M. Кнолль (M. Knoll) и E.
Руска (E. Ruska) приступили к созданию первого магн. просвечивающего Э. м. (ПЭМ)
и спустя три года получили изображение объекта, сформированное пучками электронов.
В последующие годы были построены
первые растровые Э. м. (РЭМ), работающие на принципе сканирования, т. е. последовательного
от точки к точке перемещения тонкого электронного пучка (зонда) по объекту.
К сер. 1960-х гг. РЭМ достигли высокого техн. совершенства, и с этого времени
началось их широкое применение в науч. исследованиях. ПЭМ обладают самой высокой
разрешающей способностью
, превосходя по этому параметру световые микроскопы
в неск. тысяч раз. П р ед е л р а з р е ш е н и я, характеризующий способность
прибора отобразить раздельно две максимально близко расположенные детали объекта,
у ПЭМ составляет 0,15- 0,3 HM, т. е. достигает уровня, позволяющего наблюдать
атомарную и молекулярную структуру исследуемых объектов. Столь высокие разрешения
достигаются благодаря чрезвычайно малой длине волны электронов. Линзы Э. м.
обладают аберрациями, эффективных методов коррекции к-рых не найдено в отличие
от светового микроскопа (см. Электронная и ионная оптика
).Поэтому в
ПЭМ магн. электронные линзы
(ЭЛ), у к-рых аберрации на порядок величины
меньше, полностью вытеснили электростатические. Оптимальным диафрагмированием
(см. Диафрагма
в э л е к т р о н н о й и и о н н о й о п т и к е) удаётся
снизить сферич. аберрацию объектива, влияющую
на разрешающую способность
Э. м. Находящиеся в эксплуатации ПЭМ можно разделить на три группы: Э. м. высокого
разрешения, упрощённые ПЭМ и уникальные сверхвысо-коврльтные Э. м.
ПЭМ с высокой разрешающей
способностью
(0,15- 0,3 нм) - универсальные приборы многоцелевого назначения.
Используются для наблюдения изображения объектов в светлом и тёмном поле, изучения
их структуры электро-нографич. методом (см. Электронография
),проведения
локального количеств. при помощи спектрометра энергетич.
потерь электронов и рентгеновских кристаллич. и полупроводникового
и получения спектроскопич. изображения объектов с помощью фильтра, отсеивающего
электроны с энергиями вне заданного энергетич. окна. Потери энергии электронов,
пропущенных фильтром и формирующих изображение, вызываются присутствием в объекте
какого-то одного хим. элемента. Поэтому контраст участков, в к-рых присутствует
этот элемент, возрастает. Перемещением окна по энергетич. спектру получают распределения
разл. элементов, содержащихся в объекте. Фильтр используется также в качестве
монохроматора для повышения разрешающей способности Э. м. при исследовании объектов
большой толщины, увеличивающих разброс электронов по энергиям и (как следствие)
хроматическую аберрацию.
С помощью дополнит. устройств
и приставок изучаемый в ПЭМ объект можно наклонять в разных плоскостях на большие
углы к оптич. оси, нагревать, охлаждать, деформировать. Ускоряющее электроны
напряжение в высокоразрешающих Э. м. составляет 100-400 кВ, оно регулируется
ступенчато и отличается высокой стабильностью: за 1 - 3 мин не допускается изменение
его величины более чем на (1-2)·10 -6 от исходного значения. От ускоряющего
напряжения зависит толшина объекта, которую можно "просветить" электронным
пучком. В 100-киловольтных Э. м. изучают объекты толщиной от 1 до неск. десятков
нм.
Схематически ПЭМ описываемого
типа приведён на рис. 1. В его электронно-оптич. системе (колонне) с помощью
вакуумной системы создаётся глубокий вакуум (давление до ~10 -5 Па).
Схема электронно-оптич. системы ПЭМ представлена на рис. 2. Пучок электронов,
источником к-рых служит термокатод, формируется в электронной пушке
и
высоковольтном ускорителе и затем дважды фокусируется первым и вторым конденсорами,
создающими на объекте электронное "пятно" малых размеров (при регулировке
диаметр пятна может меняться от 1 до 20 мкм). После прохождения сквозь объект
часть электронов рассеивается и задерживается апертурной диафрагмой. Нерассеянные
электроны проходят через отверстие диафрагмы и фокусируются объективом в предметной
плоскости промежуточной электронной линзы. Здесь формируется первое увеличенное
изображение. Последующие линзы создают второе, третье и т. д. изображения. Последняя
- проекционная - линза формирует изображение на катодолюминесцентном экране,
который светится под воздействием электронов. Степень и характер рассеяния электронов
неодинаковы в различных точках объекта, т. к. толщина, структура
и хим. состав объекта меняются от точки к точке. Соответственно изменяется число
электронов, прошедших через апертурную диафрагму, а следовательно, и плотность
тока на изображении. Возникает амплитудный контраст, к-рый преобразуется в световой
контраст на экране. В случае тонких объектов превалирует фазовый контраст
, вызываемый изменением фаз , рассеянных в объекте и интерферирующих
в плоскости изображения. Под экраном Э. м. расположен магазин с фотопластинками,
при фотографировании экран убирается и электроны воздействуют на фотоэмульсионный
слой. Изображение фокусируется объективной линзой с помощью плавной регулировки
тока, изменяющей её магн. поле. Токами др. электронных линз регулируется увеличение
Э. м., к-рое равно произведению увеличений всех линз. При больших увеличениях
яркость свечения экрана становится недостаточной и изображение наблюдают с помощью
усилителя яркости. Для анализа изображения производятся аналогово-цифровое преобразование
содержащейся в нём информации и обработка на компьютере. Усиленное и обработанное
по заданной программе изображение выводится на экран компьютера и при необходимости
вводится в запоминающее устройство.
Рис. 1. Электронный
микроскоп просвечивающего типа
(ПЭМ):
1
-электронная пушка с ускорителем; 2-конден
сорные
линзы; 3
-объективная линза; 4
- проекционные
линзы;
5
-световой микроскоп, дополнительно увели
чивающий
изображение, наблюдаемое на экране; б
-ту
бус
со смотровыми окнами, через которые можно наблю
дать
изображение; 7
-высоковольтный кабель; 8
- вакуумная
система; 9
- пульт управления; 10
-стенд; 11
- высоковольтное
питающее устройство; 12
- источник
питания линз
.
Рис. 2. Электронно-оптическая
схема ПЭМ: 1
-катод;
2
- фокусирующий цилиндр; 3
-ускоритель; 4
-пер
вый
(короткофокусный) конденсор, создающий
уменьшенное
изображение источника электронов;
5
- второй (длиннофокусный) конденсор, который
переносит
уменьшенное изображение источника
электронов
на объект; 6
-объект; 7
-апертурная диа
фрагма
объектива; 8
- объектив; 9
, 10, 11
-система
проекционных
линз; 12
-катодолюминесцентный
экран
.
Упрощённые ПЭМ
предназначены
для науч. исследований, в к-рых не требуется высокая разрешающая способность.
Их используют также для предварит. просмотра объектов, рутинной работы и в учебных
целях. Эти приборы просты по конструкции (один конденсор, 2-3 электронные линзы
для увеличения изображения объекта), имеют меньшее (60-100 кВ) ускоряющее напряжение
и более низкую стабильность
высокого напряжения и токов линз. Их разрешающая способность 0,5-0,7 нм.
Сверхвысоковольтные Э. м . (СВЭМ) - приборы с ускоряющим напряжением от 1 до 3,5 MB - представляют собой крупногабаритные сооружения высотой от 5 до 15 м. Для них оборудуют спец. помещения или строят отдельные здания, являющиеся составной частью комплекса СВЭМ. Первые СВЭМ предназначались для исследования объектов большой (1 -10 мкм) толщины, при к-рой сохраняются свойства массивного твёрдого тела. Из-за сильного влияния хроматич. аберраций разрешающая способность таких Э. м. снижается. Однако по сравнению со 100-киловольтными Э. м. разрешение изображения толстых объектов в СВЭМ в 10-20 раз выше. Так как энергия электронов в СВЭМ больше, то длина их волны меньше, чем в ПЭМ высокого разрешения. Поэтому после решения сложных техн. проблем (на это ушло не одно десятилетие) и реализации высокой виброустойчивости, надёжной виброизоляции и достаточной механич. и электрич. стабильности на СВЭМ была достигнута самая высокая (0,13- 0,17 нм) для просвечивающих Э. м. разрешающая способность, позволившая фотографировать изображения атомарных структур. Однако сферич. аберрация и дефокусировка объектива искажают изображения, полученные с предельным разрешением, и мешают получению достоверной информации. Этот информационнный барьер преодолевается с помощью фокальных серий изображений, к-рые получают при разл. дефокусировке объектива. Параллельно для тех же дефокусировок проводят моделирование изучаемой атомарной структуры на компьютере. Сравнение фокальных серий с сериями модельных изображений помогает расшифровать микрофотографии атомарных структур, сделанные на СВЭМ с предельным разрешением. На рис. 3 представлена схема СВЭМ, размещённого в спец. здании. Осн. узлы прибора объединены в единый комплекс с помощью платформы, к-рая подвешена к потолку на четырёх цепях и амортизационных пружинах. Сверху на платформе находятся два бака, наполненные электроизоляционным газом под давлением 3-5 атм. В один из них помещён высоковольтный генератор, в другой- электростатич. ускоритель электронов с электронной пушкой. Оба бака соединены патрубком, через к-рый высокое напряжение от генератора передаётся на ускоритель. Снизу к баку с ускорителем примыкает электронно-оптич. колонна, расположенная в нижней части здания, защищённой перекрытием от рентг. излучения, возникающего в ускорителе. Все перечисленные узлы образуют жёсткую конструкцию, обладающую свойствами физ. маятника с большим (до 7 с) периодом собств. , к-рые гасятся жидкостными демпферами. Маятниковая система подвески обеспечивает эффективную изоляцию СВЭМ от внеш. вибраций. Управление прибором производится с пульта, находящегося около колонны. Устройство линз, колонны и др. узлов прибора подобно соответствующим устройствам ПЭМ и отличается от них большими габаритами и весом.
Рис. 3. Сверхвысоковольтный
электронный микроскоп
(СВЭМ):
1-виброизолирующая платформа; 2-цепи
, на
которых висит платформа; 3 - амортизирующие
пружины;
4-баки, в которых находятся генератор вы
сокого
напряжения и ускоритель электронов с электрон
ной
пушкой; 5-электронно-оптическая колонна; 6
- перекрытие,
разделяющее здание СВЭМ на верхний и
нижний
залы и защищающее персонал, работающий
нижнем
зале, от рентгеновского излучения; 7 - пульт
управления
микроскопом
.
Растровые Э. м
. (РЭМ)
с термоэмиссионной пушкой - самый распространённый тип приборов в электронной
микроскопии
. В них применяются вольфрамовые и гексабо-рид-лантановые термокатоды.
Разрешающая способность РЭМ зависит от электронной яркости пушки и в приборах
рассматриваемого класса составляет 5-10 нм. Ускоряющее напряжение регулируется
в пределах от 1 до 30- 50 кВ. Устройство РЭМ показано на рис. 4. При помощи
двух или трёх электронных линз на поверхность образца фокусируется узкий электронный
зонд. Магн. отклоняющие катушки развёртывают зонд по заданной площади на объекте.
При взаимодействии электронов зонда с объектом возникает несколько видов излучений
(рис. 5): вторичные и отражённые электроны; оже-электроны; рентгеновское тормозное
излучение
и характеристическое излучение (см. Характеристический спектр);
световое излучение и т. д. Любое из излучений, токи электронов, прошедших
сквозь объект (если он тонкий) и поглощённых в объекте, а также напряжение,
наведённое на объекте, могут регистрироваться соответствующими детекторами,
преобразующими эти излучения, токи и напряжения в электрич. сигналы, к-рые после
усиления подаются на электронно-лучевую трубку (ЭЛТ) и модулируют её пучок.
Развёртка пучка ЭЛТ производится синхронно с развёрткой электронного зонда в
РЭМ, и на экране ЭЛТ наблюдается увеличенное изображение объекта. Увеличение
равно отношению размера кадра на экране ЭЛТ к соответствующему размеру на сканируемой
поверхности объекта. Фотографируют изображение непосредственно с экрана ЭЛТ.
Осн. достоинство РЭМ - высокая информативность прибора, обусловленная возможностью
наблюдать изображения, используя сигналы разл. детекторов. С помощью РЭМ можно
исследовать микрорельеф, распределение хим. состава по объекту, p-n
-переходы,
производить рентг. спектральный анализ и др. РЭМ широко применяются и в технол.
процессах (контроль в электронно-литог-рафич. технологиях, проверка и выявление
дефектов в микросхемах, метрология микроизделий и др.).
Рис. 4. Схема растрового
электронного микроскопа
(РЭМ):
1
-изолятор электронной пушки; 2
-V
-образ
ный
термокатод; 3
-фокусирующий электрод; 4
- анод;
5
- конденсорные линзы; 6
-диафрагма; 7
- двухъярусная
отклоняющая система; 8
-объектив; 9
-апертурная диафрагма объектива;
10
-объект;
11
-детектор
вторичных электронов; 12
-кристал
лический
спектрометр; 13
-пропорциональный
счётчик;
14
- предварительный усилитель; 15
- блок
усиления; 16, 17
-аппаратура для регистрации
рентгеновского
излучения; 18
- блок усиления; 19
- блок
регулировки увеличения; 20, 21
- блоки гори
зонтальной
и вертикальной развёрток; 22, 23
-элек
тронно-лучевые
трубки
.
Рис. 5. Схема регистрации
информации об объекте
, получаемой
в РЭМ; 1-первичный пучок электронов;
2-детектор
вторичных электронов; 3-детектор рент
геновского
излучения; 4-детектор отражённых элект
ронов;
5-детектор оже-электронов; 6-детектор све
тового
излучения; 7 - детектор прошедших электро
нов;
8 - схема для регистрации тока прошедших через
объект
электронов; 9-схема для регистрации тока
поглощённых
в объекте электронов; 10-схема для ре
гистрации
наведённого на объекте электрического
потенциала
.
Высокая разрешающая способность
РЭМ реализуется при формировании изображения с использованием вторичных электронов.
Она находится в обратной зависимости от диаметра зоны, из к-рой эти электроны
эмитируются. Размер зоны зависит от диаметра зонда, свойств объекта, скорости
электронов первичного пучка и т. д. При большой глубине проникновения первичных
электронов вторичные процессы, развивающиеся во всех направлениях, увеличивают
диаметр зоны и разрешающая способность падает. Детектор вторичных электронов
состоит из фотоэлектронного умножителя
(ФЭУ) и электронно-фотонного преобразователя,
осн. элементом к-рого является сцинтил-лятор. Число вспышек сцинтиллятора пропорционально
числу вторичных электронов, выбитых в данной точке объекта. После усиления в
ФЭУ и в видеоусилителе сигнал модулирует пучок ЭЛТ. Величина сигнала зависит
от топографии образца, наличия локальных электрич. и магн. микрополей, величины
коэф. вторичной электронной эмиссии, к-рый, в свою очередь, зависит от хим.
состава образца в данной точке.
Отражённые электроны улавливаются
полупроводниковым детектором с p - n
-переходом. Контраст изображения
обусловлен зависимостью коэф. отражения от угла падения первичного пучка в данной
точке объекта и от ат. номера вещества. Разрешение изображения, получаемого
в "отражённых электронах", ниже, чем получаемого с помощью вторичных
электронов (иногда на порядок величины). Из-за прямолинейности полёта электронов
информация об отд.
участках объекта, от к-рых прямого пути к детектору нет, теряется (возникают
тени). Для устранения потерь информации, а также для формирования изображения
рельефа образца, на к-рое не влияет его элементный состав и, наоборот, для формирования
картины распределения хим. элементов в объекте, на к-рую не влияет его рельеф,
в РЭМ применяется детекторная система, состоящая из неск. размещённых вокруг
объекта детекторов, сигналы к-рых вычитаются один из другого или суммируются,
а результирующий сигнал после усиления подаётся на модулятор ЭЛТ.
Рентг. характеристич. излучение
регистрируется кри-сталлич. (волноводисперсным) или полупроводниковым (энергодисперсным)
спектрометрами, к-рые взаимно дополняют друг друга. В первом случае рентг. излучение
после отражения кристаллом спектрометра попадает в газовый пропорциональный
счётчик
, а во втором - рентг. кванты возбуждают сигналы в полупроводниковом
охлаждаемом (для снижения шума) детекторе из кремния, легированного литием,
или из германия. После усиления сигналы спектрометров могут быть поданы на модулятор
ЭЛТ и на её экране возникнет картина распределения того или иного хим. элемента
по поверхности объекта.
На РЭМ, оснащённом рентг.
спектрометрами, производят локальный количеств. анализ: регистрируют число импульсов,
возбуждаемых рентг. квантами от участка, на к-ром остановлен электронный зонд.
Кристаллич. спектрометр с помощью набора кристаллов-анализаторов с разл. межплоскостными
расстояниями (см. Брэгга-Вульфа условие
)дискриминирует с высоким спектр.
разрешением характеристич. спектр по длинам волн, перекрывая диапазон элементов
от Be до U. Полупроводниковый спектрометр дискриминирует рентг. кванты по их
энергиям и регистрирует одновременно все элементы от В (или С) до U. Его спектральное
разрешение ниже, чем у кристаллич. спектрометра, но выше чувствительность. Имеются
и др. преимущества: быстрая выдача информации, простая конструкция, высокие
эксплуатационные характеристики.
Растровые оже-Э. м
. (РОЭМ)-приборы, в к-рых при сканировании электронного зонда детектируются
оже-электроны из глубины объекта не более 0,1-2 нм. При такой глубине зона выхода
оже-электронов не увеличивается (в отличие от электронов вторичной эмиссии)
и разрешение прибора зависит только от диаметра зонда. Прибор работает при сверхвысоком
вакууме (10 -7 -10 -8 Па). Его ускоряющее напряжение ок.
10 кВ. На рис. 6 представлено устройство РОЭМ. Электронная пушка состоит из
гексаборид-лантанового или вольфрамового термокатода, работающего в режиме Шоттки,
и трёхэлектродной электростатич. линзы. Электронный зонд фокусируется этой линзой
и магн. объективом, в фокальной плоскости к-рого находится объект. Сбор оже-электронов
производится с помощью цилиндрич. зеркального анализатора энергий, внутренний
электрод к-рого охватывает корпус объектива, а внешний примыкает к объекту.
С помощью анализатора, дискриминирующего оже-электроны по энергиям, исследуется
распределение хим. элементов в поверхностном слое объекта с субмикронным разрешением.
Для исследования глубинных слоев прибор оснащается ионной пушкой, при помощи
к-рой удаляются верхние слои объекта методом ионно-лучевого травления.
Рис. б. Схема растрового
оже-электронного микроскопа
(РОЭМ): 1 - ионный насос; 2- катод; 3 - трёхэлектродная
электростатическая линза; 4-многоканальный детектор; 5-апертурная диафрагма
объектива; 6-двухъярусная
отклоняющая система для развёртки электронного
зонда; 7-объектив; 8- наружный электрод цилиндрического
зеркального
анализатора; 9-объект
.
РЭМ с автоэмиссионной
пушкой
обладают высокой разрешающей способностью (до 2-3 нм). В автоэмиссионной
пушке используется катод в форме острия, у вершины к-рого возникает сильное
элекгрич. поле, вырывающее электроны из катода (автоэлектронная эмиссия)
. Электронная яркость пушки с автоэмиссионным катодом в 10 3 -10 4
раз выше яркости пушки с термокатодом. Соответственно увеличивается ток электронного
зонда. Поэтому в РЭМ с автоэмиссионной пушкой осуществляют наряду с медленной
быструю развёртку, а диаметр зонда уменьшают для повышения разрешающей способности.
Однако автоэмиссионный катод работает устойчиво лишь при сверхвысоком вакууме
(10 -7 -10 -9 Па), что усложняет конструкцию и эксплуатацию
таких РЭМ.
Просвечивающие растровые
Э. м
. (ПРЭМ) обладают столь же высокой разрешающей способностью, как и ПЭМ.
В этих приборах применяются автоэмиссионные пушки, работающие в условиях сверхвысокого
вакуума (до 10 -8 Па), обеспечивающие достаточный ток в зонде малого
диаметра (0,2-0,3 нм). Диаметр зонда уменьшают две магн. линзы (рис. 7). Ниже
объекта расположены детекторы - центральный и кольцевой. На первый попадают
нерассеянные электроны, и после преобразования и усиления соответствующих сигналов
на экране ЭЛТ появляется светлопольное изображение. На кольцевом детекторе собираются
рассеянные электроны, создающие темнополь-ное изображение. В ПРЭМ можно исследовать
более толстые объекты, чем в ПЭМ, т. к. возрастание числа неупруго рассеянных
электронов с толщиной не влияет на разрешение (после объекта электронная оптика
для формирования изображения отсутствует). С помощью анализатора энергии электроны,
прошедшие сквозь объект, разделяются на упруго и неупруго рассеянные пучки.
Каждый пучок попадает на свой детектор, и на ЭЛТ наблюдаются соответствующие
изображения, содержащие дополнит. информацию об элементном составе объекта.
Высокое разрешение в ПРЭМ достигается при медленных развёртках, т. к. в зонде
диаметром всего 0,2-0,3 нм ток получается малым. ПРЭМ оснащаются всеми используемыми
в электронной микроскопии устройствами для аналитич. исследований
объектов, и в частности спектрометрами энерге-тич. потерь электронов, рентг.
спектрометрами, сложными системами детектирования прошедших, обратно рассеянных
и вторичных электронов, выделяющих группы электронов, рассеянных на разл. углы,
имеющих разл. энергию и т. п. Приборы комплектуются ЭВМ для комплексной обработки
поступающей информации.
Рис. 7. Принципиальная
схема просвечивающего растро
вого
электронного микроскопа (ПРЭМ): 1-автоэмис
сионный
катод; 2-промежуточный анод; 3- анод; 4
- диафрагма
"осветителя"; 5-магнитная линза; 6-двухъ
ярусная
отклоняющая система для развёртки электрон
ного
зонда; 7-магнитный объектив; 8 - апертурная
диафрагма
объектива; 9 -объект; 10 - отклоняющая система; 11 - кольцевой детектор рассеянных
электронов;
12
-детектор нерассеянных электронов (удаляется при
работе
магнитного спектрометра); 13 - магнитный
спектрометр;
14-отклоняющая система для отбора
электронов
с различными потерями энергии; 15 - щель
спектрометра;
16-детектор спектрометра; ВЭ-вторич
ные
электроны; hv
-рентгеновское излучение
.
Эмиссионные Э. м
. создают
изображение объекта электронами, к-рые эмитирует сам объект при нагревании,
бомбардировке первичным пучком электронов, под действием эл--магн. излучения
и при наложении сильного электрич. поля, вырывающего электроны из объекта. Эти
приборы обычно имеют узкое целевое назначение (см. Электронный проектор
).
Зеркальные Э. м
. служат
гл. обр. для визуализации элек-тростатич. "потенциальных рельефов"
и магн. микрополей на поверхности объекта. Осн. электронно-оптич. элементом
прибора является электронное зеркало
,причём одним из электродов служит
сам объект, к-рый находится под небольшим отрицат. потенциалом относительно
катода пушки. Электронный пучок направляется в электронное зеркало и отражается
полем в непосредственной близости от поверхности объекта. Зеркало формирует
на экране изображение "в отражённых пучках": микрополя возле поверхности
объекта перераспределяют электроны отражённых пучков, создавая контраст в изображении,
визуа-лизирующий эти микрополя.
Перспективы развития
Э. м
. Совершенствование Э. м. с целью увеличения объёма получаемой информации,
проводившееся многие годы, продолжится и в дальнейшем, а улучшение параметров
приборов, и прежде всего повышение разрешающей способности, останется главной
задачей. Работы по созданию электронно-оптич. систем с малыми аберрациями пока
не привели к реальному повышению разрешения Э. м. Это относится к не-осесимметричным
системам коррекции аберраций, криогенной оптике, к линзам с корректирующим пространств.
в приосевой области и др. Поиски и исследования в указанных направлениях
ведутся. Продолжаются поисковые работы по созданию электронных гологра-фич.
систем, в т. ч. и с коррекцией частотно-контрастных характеристик линз. Миниатюризация
электростатич. линз и систем с использованием достижений микро- и на-нотехнологий
также будет способствовать решению проблемы создания электронной оптики с малыми
аберрациями.
Лит.: Практическая растровая электронная микроскопия, под ред. Д. Гоулдстейна, X. Яковица, пер. с англ., M., 1978; Спенс Д., Экспериментальная электронная микроскопия высокого разрешения, пер. с англ., M., 1986; Стоянов П. А., Электронный микроскоп СВЭМ-1, "Известия АН СССР, сер. физ.", 1988, т. 52, № 7, с. 1429; Хокс П., Каспер Э., Основы электронной оптики, пер. с англ.,т. 1-2, M., 1993; Oechsner H., Scanning auger microscopy, Le Vide, les Couches Minces, 1994, t. 50, № 271, p. 141; McMul-lan D., Scanning electron microscopy 1928-1965, "Scanning", 1995, t. 17, № 3, c. 175. П. А. Стоянов .
Термин «микроскоп» имеет греческие корни. Он состоит из двух слов, которые в переводе означают «маленький» и «смотрю». Основная роль микроскопа заключается в его применении при рассмотрении весьма малых объектов. При этом данный прибор позволяет определить размеры и форму, строение и иные характеристики невидимых невооруженным глазом тел.
История создания
Точных сведений о том, кто являлся изобретателем микроскопа, в истории нет. По одним данным, его в 1590 г. сконструировали отец и сын Янссены, мастера по изготовлению очков. Еще один претендент на звание изобретателя микроскопа - Галилео Галилей. В 1609 г. этим ученым был представлен прибор с вогнутой и выпуклой линзами на обозрение публики в Академии деи Линчеи.
С годами система для рассмотрения микроскопических объектов развивалась и совершенствовалась. Огромным шагом в ее истории стало изобретение простого ахроматически регулировавшегося двухлинзового устройства. Представил эту систему голландец Кристиан Гюйгенс в конце 1600-х годов. Окуляры данного изобретателя находятся в производстве и сегодня. Единственным их минусом является недостаточная широта поля обзора. Кроме того, по сравнению с устройством современных приборов окуляры Гюйгенса имеют неудобное расположение для глаз.
Особый вклад в историю микроскопа внес изготовитель подобных приборов Антон Ван Левенгук (1632-1723 гг.). Именно он привлек внимание биологов к этому устройству. Левенгук изготавливал небольшие по размеру изделия, оснащенные одной, но весьма сильной линзой. Использовать такие приборы было неудобно, но они не удваивали дефекты изображений, что присутствовало в составных микроскопах. Исправить этот недостаток изобретатели смогли только спустя 150 лет. Вместе с развитием оптики улучшилось качество изображения в составных приборах.
Совершенствование микроскопов продолжается и в наши дни. Так, в 2006 г. немецкими учеными, работающими в институте биофизической химии, Мариано Босси и Штефаном Хеллем, был разработан новейший оптический микроскоп. Из-за возможности наблюдать предметы с размерами в 10 нм и трехмерные высококачественные 3D-изображения прибор назвали наноскопом.
Классификация микроскопов
В настоящее время существует большое разнообразие приборов, предназначенных для рассмотрения малых по величине объектов. Их группирование производится исходя из различных параметров. Это может быть назначение микроскопа или принятый способ освещения, строение, использованное для оптической схемы и т. д.
Но, как правило, основные виды микроскопов классифицируются по величине разрешения микрочастиц, которые можно увидеть при помощи данной системы. Согласно такому делению, микроскопы бывают:
- оптическими (световыми);
- электронными;
- рентгеновскими;
- сканирующими зондовыми.
Наибольшее распространение получили микроскопы светового типа. Их богатый выбор имеется в магазинах оптики. При помощи подобных приборов решаются основные задачи по исследованию того или иного объекта. Все другие виды микроскопов относят к специализированным. Их использование производится, как правило, в условиях лаборатории.
Каждый из вышеперечисленных видов приборов имеет свои подвиды, которые применяются в той или иной сфере. Кроме того, сегодня есть возможность купить школьный микроскоп (или учебный), который является системой начального уровня. Предлагаются потребителям и профессиональные приборы.
Применение
Для чего нужен микроскоп? Человеческий глаз, будучи особой оптической системой биологического типа, имеет определенный уровень разрешения. Другими словами, существует наименьшее расстояние между наблюдаемыми объектами, когда их еще можно различить. Для нормального глаза такое разрешение находится в пределах 0,176 мм. А вот размеры большинства животных и растительных клеток, микроорганизмов, кристаллов, микроструктуры сплавов, металлов и т. п. намного меньше этой величины. Каким же образом изучать и наблюдать подобные объекты? Вот здесь на помощь людям и приходят различные виды микроскопов. К примеру, приборы оптического типа позволяют различить структуры, у которых расстояние между элементами составляет минимум 0,20 мкм.
Как устроен микроскоп?
Прибор, с помощью которого человеческому глазу становится доступным рассмотрение микроскопических объектов, имеет два основных элемента. Ими являются объектив и окуляр. Закреплены данные части микроскопа в подвижном тубусе, располагающемся на металлическом основании. На нем же имеется и предметный столик.
Современные виды микроскопов, как правило, оснащены осветительной системой. Это, в частности, конденсор, имеющий ирисовую диафрагму. Обязательной комплектацией увеличительных приборов являются микро- и макровинты, которые служат для настройки резкости. В конструкции микроскопов предусматривается и наличие системы, управляющей положением конденсора.
В специализированных, более сложных микроскопах нередко используются и иные дополнительные системы и устройства.
Объективы
Начать описание микроскопа хотелось бы с рассказа об одной из его основных частей, то есть с объектива. Они является сложной оптической системой, увеличивающей размеры рассматриваемого предмета в плоскости изображения. Конструкция объективов включает в себя целую систему не только одиночных, но и склеенных по две или три штуки линз.
Сложность подобной оптико-механической конструкции зависит от круга тех задач, которые должны быть решены тем или иным прибором. Например, в самом сложном микроскопе предусматривается до четырнадцати линз.
В составе объектива находятся фронтальная часть и системы, последующие за ней. Что является основой для построения изображения нужного качества, а также определения рабочего состояния? Это фронтальная линза или их система. Последующие части объектива необходимы для обеспечения требуемого увеличения, фокусного расстояния и качества изображения. Однако осуществление таких функций возможно только в сочетании с фронтальной линзой. Стоит сказать и о том, что конструкция последующей части влияет на длину тубуса и высоту объектива прибора.
Окуляры
Эти части микроскопа представляют собой оптическую систему, предназначенную для построения необходимого микроскопического изображения на поверхности сетчатки глаз наблюдателя. В составе окуляров находятся две группы линз. Ближайшая к глазу исследователя называется глазной, а дальняя - полевой (с ее помощью объектив выстраивает изображение изучаемого объекта).
Осветительная система
В микроскопе предусмотрена сложная конструкция из диафрагм, зеркал и линз. С ее помощью обеспечивается равномерная освещенность исследуемого объекта. В самых первых микроскопах данную функцию осуществляли По мере усовершенствования оптических приборов в них стали применять сначала плоские, а затем и вогнутые зеркала.
С помощью таких нехитрых деталей лучи от солнца или лампы направлялись на объект исследования. В современных микроскопах более совершенна. Она состоит из конденсора и коллектора.
Предметный столик
Микроскопические препараты, требующие изучения, располагаются на плоской поверхности. Это и есть предметный столик. Различные виды микроскопов могут иметь данную поверхность, сконструированную таким образом, что объект исследования будет поворачиваться в наблюдателя по горизонтали, по вертикали или под определенным углом.
Принцип действия
В первом оптическом приборе система линз давала обратное изображение микрообъектов. Это позволяло разглядеть строение вещества и мельчайшие детали, которые подлежали изучению. Принцип действия светового микроскопа сегодня схож с той работой, которую осуществляет рефракторный телескоп. В этом приборе свет преломляется в момент прохождения через стеклянную часть.
Как же увеличивают современные световые микроскопы? После попадания в прибор пучка световых лучей происходит их преобразование в параллельный поток. Только затем идет преломление света в окуляре, благодаря чему и увеличивается изображение микроскопических объектов. Далее эта информация поступает в нужном для наблюдателя виде в его
Подвиды световых микроскопов
Современные классифицируют:
1. По классу сложности на исследовательский, рабочий и школьный микроскоп.
2. По области применения на хирургические, биологические и технические.
3. По видам микроскопии на приборы отраженного и проходящего света, фазового контакта, люминесцентные и поляризационные.
4. По направлению светового потока на инвертированные и прямые.
Электронные микроскопы
С течением времени прибор, предназначенный для рассмотрения микроскопических объектов, становился все более совершенным. Появились такие виды микроскопов, в которых был использован совершенно иной, не зависящий от преломления света принцип работы. В процессе использования новейших типов приборов задействовали электроны. Подобные системы позволяют увидеть настолько малые отдельные части вещества, что их попросту обтекают световые лучи.
Для чего нужен микроскоп электронного типа? С его помощью изучают структуру клеток на молекулярном и субклеточном уровнях. Также подобные приборы применяют для исследования вирусов.
Устройство электронных микроскопов
Что лежит в основе работы новейших приборов для рассмотрения микроскопических объектов? Чем электронный микроскоп отличается от светового? Есть ли между ними какие-либо сходства?
Принцип работы электронного микроскопа основан на тех свойствах, которыми обладают электрические и магнитные поля. Их вращательная симметрия способна оказывать фокусирующее действие на электронные пучки. Исходя из этого, можно дать ответ на вопрос: «Чем электронный микроскоп отличается от светового?» В нем, в отличие от оптического прибора, нет линз. Их роль играют соответствующим образом рассчитанные магнитные и электрические поля. Создаются они витками катушек, через которые проходит ток. При этом такие поля действуют подобно При увеличении или уменьшении силы тока происходит изменение фокусного расстояния прибора.
Что касается принципиальной схемы, то у электронного микроскопа она аналогична схеме светового прибора. Отличие заключено лишь в том, что оптические элементы замещены подобными им электрическими.
Увеличение объекта в электронных микроскопах происходит за счет процесса преломления пучка света, проходящего сквозь исследуемый объект. Под различными углами лучи попадают в плоскость объективной линзы, где и происходит первое увеличение образца. Далее электроны проходят путь к промежуточной линзе. В ней происходит плавное изменение увеличения размеров объекта. Конечную картинку исследуемого материала дает проекционная линза. От нее изображение попадает на флуоресцентный экран.
Виды электронных микроскопов
Современные виды включают в себя:
1. ПЭМ, или просвечивающий электронный микроскоп.
В этой установке изображение очень тонкого, толщиной до 0,1 мкм, объекта формируется при взаимодействии пучка электронов с исследуемым веществом и с последующим его увеличением находящимися в объективе магнитными линзами.
2. РЭМ, или растровый электронный микроскоп.
Такой прибор позволяет получить изображение поверхности объекта с большим разрешением, составляющим порядка нескольких нанометров. При использовании дополнительных методов подобный микроскоп выдает информацию, помогающую определить химический состав приповерхностных слоев.
3. Туннельный сканирующий электронный микроскоп, или СТМ.
При помощи данного прибора измеряется рельеф проводящих поверхностей, имеющих высокое пространственное разрешение. В процессе работы с СТМ острую металлическую иглу подводят к изучаемому объекту. При этом выдерживается расстояние всего в несколько ангстрем. Далее на иглу подают небольшой потенциал, благодаря чему возникает туннельный ток. При этом наблюдатель получает трехмерное изображение исследуемого объекта.
Микроскопы «Левенгук»
В 2002 году в Америке появилась новая компания, занимающаяся производством оптических приборов. В ассортиментном перечне ее продукции находятся микроскопы, телескопы и бинокли. Все эти приборы отличает высокое качество изображения.
Головной офис и отдел разработок компании располагаются в США, в городе Фримонде (Калифорния). А вот что касается производственных мощностей, то они находятся в Китае. Благодаря всему этому компания поставляет на рынок передовую и качественную продукцию по приемлемой цене.
Вам нужен микроскоп? Levenhuk предложит необходимый вариант. В ассортименте оптической техники компании находятся цифровые и биологические приборы для увеличения изучаемого объекта. Кроме того, покупателю предлагаются и дизайнерские модели, исполненные в разнообразной цветовой гамме.
Микроскоп Levenhuk обладает обширными функциональными возможностями. Например, учебный прибор начального уровня может быть присоединен к компьютеру, а также он способен выполнять видеосъемку проводимых исследований. Таким функционалом оснащена модель Levenhuk D2L.
Компания предлагает биологические микроскопы различного уровня. Это и более простые модели, и новинки, которые подойдут профессионалам.
Мы начинаем публиковать блог предпринимателя, специалиста в области информационных технологий и по совместительству конструктора-любителя Алексея Брагина, в котором рассказывается о необычном опыте - вот уже год как автор блога занят восстановлением сложного научного оборудования - сканирующего электронного микроскопа - практически в домашних условиях. Читайте о том, с какими инженерно-техническими и научными задачами пришлось столкнуться Алексею и как он с ними справился.
Позвонил мне как-то друг и говорит: нашел интересную штуку, надо привезти к тебе, правда, весит полтонны. Так у меня в гараже появилась колонна от сканирующего электронного микроскопа JEOL JSM-50A. Ее давно списали из какого-то НИИ и вывезли в металлолом. Электронику потеряли, а вот электронно-оптическую колонну вместе с вакуумной частью удалось спасти.
Раз основная часть оборудования сохранилась, возник вопрос: нельзя ли спасти микроскоп целиком, то есть восстановить и привести его в рабочее состояние? Причем прямо в гараже, собственными руками, с помощью лишь базовых инженерно-технических знаний и подручных средств? Правда, прежде я никогда не имел дела с подобным научным оборудованием, не говоря уже о том, чтобы уметь им пользоваться, и не представлял, как оно работает. Но интересно ведь не просто запустить старую железяку в рабочее состояние - интересно во всем самостоятельно разобраться и проверить, возможно ли, используя научный метод, освоить совершенно
новые области. Так я стал восстанавливать электронный микроскоп в гараже.
В этом блоге я буду рассказывать вам о том, что мне уже удалось сделать и что еще предстоит. Попутно я познакомлю вас с принципами функционирования электронных микроскопов и их основных узлов, а также расскажу о множестве технических препятствий, которые пришлось преодолеть по ходу работы. Итак, приступим.
Чтобы восстановить оказавшийся у меня микроскоп хотя бы до состояния «рисуем электронным лучом на люминесцентном экране», необходимо было следующее:
Начнем по порядку. Сегодня я расскажу о принципах работы электронных микроскопов. Они бывают двух типов:
Просвечивающий электронный микроскоп
ПЭМ очень похож на обычный оптический микроскоп, только исследуемый образец облучается не светом (фотонами), а электронами. Длина волны электронного луча намного меньше, чем фотонного, поэтому можно получить существенно большее разрешение.
Фокусировка электронного луча и управление им осуществляются с помощью электромагнитных или электростатических линз. Им даже присущи те же искажения (хроматические аберрации), что и оптическим линзам, хотя природа физического взаимодействия тут совершенно иная. Она, кстати, добавляет еще и новых искажений (вызванных закручиванием электронов в линзе вдоль оси электронного пучка, чего не происходит с фотонами в оптическом микроскопе).
У ПЭМ есть недостатки: исследуемые образцы должны быть очень тонкие, тоньше 1 микрона, что не всегда удобно, особенно при работе в домашних условиях. Например, чтобы посмотреть свой волос на просвет, его необходимо разрезать вдоль хотя бы на 50 слоев. Это связано с тем, что проникающая способность электронного луча гораздо хуже фотонного. К тому же ПЭМ, за редким исключением, достаточно громоздки. Вот этот аппарат, изображенный ниже, вроде бы и не такой большой (хотя он выше человеческого роста и имеет цельную чугунную станину), но к нему еще прилагается блок питания размером с большой шкаф - итого необходима почти целая комната.
Зато разрешение у ПЭМ - наивысшее. С его помощью (если сильно постараться) можно увидеть отдельные атомы вещества.
University of Calgary
Такое разрешение бывает особенно полезно для идентификации возбудителя вирусного заболевания. Вся вирусная аналитика ХХ века была построена на базе ПЭМ, и только с появлением более дешевых методов диагностики популярных вирусов (например, полимеразной цепной реакции, или ПЦР) рутинное использование ПЭМов для этой цели прекратилось.
Например, вот как выглядит грипп H1N1 «на просвет»:
University of Calgary
Сканирующий электронный микроскоп
SEM применяется в основном для исследования поверхности образцов с очень высоким разрешением (увеличение в миллион крат, против 2 тысяч у оптических микроскопов). А это уже гораздо полезнее в домашнем хозяйстве:)
К примеру, так выглядит отдельная щетинка новой зубной щетки:
То же самое должно происходить и в электронно-оптической колонне микроскопа, только тут облучается образец, а не люминофор экрана, и изображение формируется на основе информации с датчиков, фиксирующих вторичные электроны, упруго-отраженные электроны и прочее. Об электронном микроскопе именно этого типа и пойдет речь в этом блоге.
И кинескоп телевизора, и электронно-оптическая колонна микроскопа работают только под вакуумом. Но об этом я расскажу подробно в следующем выпуске.
(Продолжение следует)
